- deep-submicron IC
- ИС с зазором между элементами менее 0,1 мкм
The New English-Russian Dictionary of Radio-electronics. F.V Lisovsky . 2005.
The New English-Russian Dictionary of Radio-electronics. F.V Lisovsky . 2005.
Schrägbeleuchtung — (englisch off axis illumination) – seltener Schrägbelichtung oder außeraxiale Belichtung genannt – bezeichnet in der Halbleitertechnik ein fortgeschrittenes Belichtungsverfahren bei der fotolithografischen Strukturierung. Es bietet die… … Deutsch Wikipedia
DSM — or dsm may refer to: Contents 1 Business 2 Computing 3 Military 4 … Wikipedia
Chemical-mechanical planarization — Chemical Mechanical Polishing/Planarization is a process of smoothing surfaces with the combination of chemical and mechanical forces. It can be thought of as a hybrid of chemical etching and free abrasive polishing. Contents 1 Description 2… … Wikipedia
Chipdesign — Chipentwurf (oder Chipentwicklung) bezeichnet den Prozess der Entwicklung eines Mikrochips von der ersten Idee über die Spezifikation und Umsetzung in einen Schaltplan und ein Layout bis zum gefertigten Chip. Inhaltsverzeichnis 1 Entwurfsmethoden … Deutsch Wikipedia
Chipentwurf — (oder Chipentwicklung) bezeichnet in der Mikroelektronik den Prozess der Entwicklung eines Mikrochips von der ersten Idee über die Spezifikation und Umsetzung in einen Schaltplan und ein Layout bis zum gefertigten Schaltkreis. Inhaltsverzeichnis… … Deutsch Wikipedia
Geschwindigkeitssättigung — Die Geschwindigkeitssättigung (englisch velocity saturation) bezeichnet einen der Kurzkanaleffekte bei Feldeffekttransistoren (FETs). Bei hohen Drainspannungen oder kleiner Kanallänge ( ) wird das longitudinale elektrische Feld E im Kanal… … Deutsch Wikipedia
LOCOS-Prozess — LOCOS, kurz für englisch Local Oxidation of Silicon (dt. »lokale Oxidation von Silicium«, ist in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur elektrischen Isolation von Bauelementen (meist Transistoren). Dafür wird der Silicium Wafer an… … Deutsch Wikipedia
Velocity saturation — Die Geschwindigkeitssättigung (engl. velocity saturation) bezeichnet einen der Kurzkanaleffekte bei Feldeffekttransistoren (FETs). Bei hohen Drainspannungen oder kleiner Kanallänge ( ) wird das longitudinale elektrische Feld E im Kanal sehr groß … Deutsch Wikipedia
Negative bias temperature instability — (NBTI) is a key reliability issue in MOSFETs. It is of immediate concern in p channel MOS devices, since they almost always operate with negative gate to source voltage; however, the very same mechanism affects also nMOS transistors when biased… … Wikipedia
Химико-механическая планаризация — Причина введения CMP: слева показан срез чип … Википедия
UDSM — abbr. Ultra Deep Submicron … Dictionary of abbreviations